2. Amplificador Operacional Ideal. |
2.1. Modelo Ideal. Parámetros Fundamentales
2.2. Circuitos Básicos.
2.2.1. Amplificador Inversor.
2.2.2. Amplificador No Inversor
2.2.3. Sumador
2.2.4. Seguidor de Tensión.
2.2.5. Amplificador Diferencial.
2.2.6. Integrador
2.2.7. Diferenciador
2.2.8. Trigger Smith |
4. Diodos. |
4.1. Estados del diodo.
4.2. Modelo del diodo.
4.3. Diodo zener.
4.4. Circuitos básicos con diodos.
4.4.1. Circuitos limitadores.
4.4.2. Circuitos de Rectificación.
4.4.2.1. Rectificadores con diodos.
4.4.2.2. Rectificadores de precisión
4.4.3. Circuitos fijadores
4.4.4. Doblador de tensión.
4.5. Análisis mediante el método de punto crítico
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6. Transistor de Efecto Campo (FET) |
6.1. Transistores de efecto campo de puerta aislada MOSFET.
6.1.1. Mosfet de Enriquecimiento
6.1.1.1. Principios Físicos.
6.1.1.2. Zonas de funcionamiento.
6.1.1.3. Curvas características de entrada y de salida.
6.1.1.4. Modelo estáticos.
6.1.2. Mosfet de Deplexión.
6.1.2.1. Principios Físicos.
6.1.2.2. Zonas de funcionamiento.
6.1.2.3. Curvas características de entrada y de salida
6.1.2.4. Modelo estáticos.
6.1.3. Análisis de Punto de Trabajo.
6.1.4. Circuitos de Polarización.
6.2. Transistores de efecto campo de unión JFET.
6.2.1. Principios Físicos.
6.2.2. Zonas de funcionamiento.
6.2.3. Curvas características de entrada y de salida
6.2.4. Modelo estáticos..
6.2.5. Análisis de Punto de Trabajo.
6.2.6. Circuitos de Polarización.
6.3. El transistor de efecto campo como resistencia.
6.4. El transistor de efecto campo como interruptor.
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8. Amplificador Operacional Real. |
8.1. Estructura interna.
8.1.1. Amplificador Diferencial de Entrada
8.1.2. Etapa Intermedia de Ganancia
8.1.3. Etapa de Potencia de Salida
8.2. Características.
8.2.1. Impedancias de entrada y de salida.
8.2.2. Ancho de Banda.
8.2.3. Tensión offset de entrada
8.2.4. Corriente offset de entrada.
8.2.5. Rechazo en modo común.
8.2.6. Slew Rate.
8.3. Amplificador Operacional LM741. |