Guia docenteCurso
Escuela Politécnica Superior
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Enxeñeiro Industrial
 Asignaturas
  Electrónica General
   Contenidos
Tema Subtema
1. Introducción. Conceptos generales. 1.1. Fuentes de Tensión y de Corriente.
1.2. Teoremas de Thévenin, Norton y Superposición.
1.3. Carga y descarga del condensador.
1.4. Amplificadores. Parámetros fundamentales.
2. Amplificador Operacional Ideal. 2.1. Modelo Ideal. Parámetros Fundamentales
2.2. Circuitos Básicos.
2.2.1. Amplificador Inversor.
2.2.2. Amplificador No Inversor
2.2.3. Sumador
2.2.4. Seguidor de Tensión.
2.2.5. Amplificador Diferencial.
2.2.6. Integrador
2.2.7. Diferenciador
2.2.8. Trigger Smith
3. Fundamentos de los Semiconductores. Unión PN. 3.1. Cristales de Silicio. Enlaces Covalentes.
3.2. Creación de pares electrón hueco.
3.3. Proceso de Recombinación.
3.4. Semiconductores Intrínsecos.
3.5. Semiconductores Extrínsecos
3.6. Union PN sin polarizar.
3.7. Unión PN polarizada.
4. Diodos. 4.1. Estados del diodo.
4.2. Modelo del diodo.
4.3. Diodo zener.
4.4. Circuitos básicos con diodos.
4.4.1. Circuitos limitadores.
4.4.2. Circuitos de Rectificación.
4.4.2.1. Rectificadores con diodos.
4.4.2.2. Rectificadores de precisión
4.4.3. Circuitos fijadores
4.4.4. Doblador de tensión.
4.5. Análisis mediante el método de punto crítico
5. Transistor Bipolar (BJT). 5.1. Principios Físicos.
5.1.1. Transistor sin polarización
5.1.2. Transistor Polarizado.
5.1.3. Curvas características de Entrada y de Salida
5.1.4. Zonas de Funcionamiento.
5.2. Recta de carga.
5.3. Modelo estático.
5.4. Análisis de Punto de Trabajo.
5.5. Circuitos de Polarización.
5.6. El transistor como interruptor.
6. Transistor de Efecto Campo (FET) 6.1. Transistores de efecto campo de puerta aislada MOSFET.
6.1.1. Mosfet de Enriquecimiento
6.1.1.1. Principios Físicos.
6.1.1.2. Zonas de funcionamiento.
6.1.1.3. Curvas características de entrada y de salida.
6.1.1.4. Modelo estáticos.
6.1.2. Mosfet de Deplexión.
6.1.2.1. Principios Físicos.
6.1.2.2. Zonas de funcionamiento.
6.1.2.3. Curvas características de entrada y de salida
6.1.2.4. Modelo estáticos.
6.1.3. Análisis de Punto de Trabajo.
6.1.4. Circuitos de Polarización.
6.2. Transistores de efecto campo de unión JFET.
6.2.1. Principios Físicos.
6.2.2. Zonas de funcionamiento.
6.2.3. Curvas características de entrada y de salida
6.2.4. Modelo estáticos..
6.2.5. Análisis de Punto de Trabajo.
6.2.6. Circuitos de Polarización.
6.3. El transistor de efecto campo como resistencia.
6.4. El transistor de efecto campo como interruptor.
7. Amplificadores con transistores. 7.1. Condensadores de acoplo y desacoplo.
7.2. Análisis en continua y para pequeña señal.
7.2.1. Rectas de carga.
7.3. Modelos para pequeña señal de transistores FET y BJT.
7.4. Configuraciones básicas con transistores BJT.
7.5. Configuraciones básicas con transistores FET.
7.6. Amplificadores Multietapa.
8. Amplificador Operacional Real. 8.1. Estructura interna.
8.1.1. Amplificador Diferencial de Entrada
8.1.2. Etapa Intermedia de Ganancia
8.1.3. Etapa de Potencia de Salida
8.2. Características.
8.2.1. Impedancias de entrada y de salida.
8.2.2. Ancho de Banda.
8.2.3. Tensión offset de entrada
8.2.4. Corriente offset de entrada.
8.2.5. Rechazo en modo común.
8.2.6. Slew Rate.
8.3. Amplificador Operacional LM741.
9. Generadores de Señal y Circuitos Multivibradores. 9.1. Osciladores
9.1.1. Osciladores senoidales
9.1.1.1. Criterio de Barkhausen
9.1.2. Osciladores de cambio de fase
9.1.3. Osciladores con circuitos resonantes
9.1.4. Estructura general del circuito oscilador
9.1.4.1. Oscilador Hartley
9.1.4.2. Oscilador Colpitts
9.1.5. Osciladores con cristal.
9.2. Circuitos Multivibradores
9.2.1. Aestable
9.2.2. Biestable
9.2.3. Monoestable
9.3. Generador de Onda Triangular.
9.4. Temporizador 555. Montajes Básicos.
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